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TRP450磁控濺射系統
編號:3
類別:磁控濺射鍍膜系統
  • 產品概述
  • 規格參數
  • 服務支持

    設備用途

        用于納米級單層及多層功能膜、硬質膜、金屬膜、半導體膜、介質膜等新型薄膜材料的制備??蓮V泛應用于大專院校、科研院所的薄膜材料的科研與小批量制備。

     

    設備組成

        系統主要由濺射真空室、永磁磁控濺射靶(三個靶)、單基片加熱臺、直流電源、射頻電源、工作氣路、抽氣系統、真空測量、電控系統及安裝機臺等部分組成。

    1、極限真空度:≤6.6x10-6Pa;

    2、25分鐘可達到6.6x10-4Pa;

    3、磁控濺射靶:2英寸x3套;

    4、直流濺射電源:500Wx2套;

    5、射頻濺射電源:500Wx1套;

    6、樣品尺寸:4英寸x1片;

    7、樣品溫度:最高800℃;

    8、分子泵系統:1套;

    9、薄膜壓力真空規:1套;

    10、冷卻水路系統:1套;

    11、自動控制系統:1套。

    公司:中國科學院沈陽科學儀器股份有限公司 

    地址:沈陽市渾南新區新源街1

    電話:024-23826899、024-23826855

    傳真:024-23826828

    郵箱:sales@sky.ac.cn

    網址:www.benoithamon.com

    開戶行:建行沈陽渾南新區產業園分理處

    賬號:2100 1394 6010 5958 1266

    納稅號:912101 0041 0581 2660


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