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JGP560D磁控濺射系統
編號:6
類別:磁控濺射鍍膜系統
  • 產品概述
  • 規格參數
  • 服務支持
    設備用途
        用于納米級單層及多層功能膜、硬質膜、金屬膜、半導體膜、介質膜等新型薄膜材料的制備??蓮V泛應用于大專院校、科研院所的薄膜材料科研與小批量制備。

    設備組成
        主要由主濺射真空室、磁控濺射靶、基片水冷加熱臺、進樣室、樣品庫、退火爐、反濺靶、磁力送樣機構、工作氣路、抽氣系統、安裝機臺、真空測量及電控系統等部分組成。

    1、雙室結構:濺射室、進樣室;

    2、濺射室極限真空度:6.67X10-6Pa;

    3、濺射室40分鐘可達到6.6X10-4Pa;

    4、磁控濺射靶:2英寸x5套;

    5、直流濺射電源:500Wx3套;

    6、射頻濺射電源:500Wx2套;

    7、樣品尺寸:φ30mmx6片;

    8、樣品溫度:600℃;

    9、進樣室極限真空度:6.67X10-4Pa;

    10、進樣室樣品庫:儲存6片樣品;

    11、進樣室退火爐:800℃;

    12、進樣室反濺靶組件:1套;

    13、進樣室磁力傳遞桿:1套;

    14、分子泵系統:2套;

    15、薄膜壓力真空規:1套;

    16、冷卻水路系統:1套。

    公司:中國科學院沈陽科學儀器股份有限公司 

    地址:沈陽市渾南新區新源街1

    電話:024-23826899、024-23826855

    傳真:024-23826828

    郵箱:sales@sky.ac.cn

    網址:www.benoithamon.com

    開戶行:建行沈陽渾南新區產業園分理處

    賬號:2100 1394 6010 5958 1266

    納稅號:912101 0041 0581 2660

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