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FJL560磁控濺射與離子束系統
編號:7
類別:磁控濺射鍍膜系統
  • 產品概述
  • 規格參數
  • 服務支持

    設備用途

        用于納米級單層及多層功能膜、硬質膜、金屬膜、半導體膜、介質膜等新型薄膜材料的制備??蓮V泛應用于大專院校、科研院所的薄膜材料的科研與小批量制備。

     

    設備組成

        系統主要由濺射真空室、進樣室、永磁磁控濺射靶(四個靶)、單基片加熱臺、直流電源、射頻電源、工作氣路、抽氣系統、真空測量、電控系統及安裝機臺等部分組成。

    1、極限真空度:≤6.6x10-5Pa (經烘烤除氣后);
    2、系統短時間暴露大氣并充干燥氮氣后,再開始抽氣,40分鐘可達到6.6x10-4Pa;
    3、磁控濺射靶:2英寸x4套;
    4、射頻濺射電源:500Wx2套;
    5、直流濺射電源:500Wx2套;
    6、樣品尺寸:φ30mmx6片;
    7、樣品溫度:600°C;
    8、濺射離子槍:1套;
    9、輔助沉積離子槍:1套;
    10、四工位轉靶:1套;
    11、分子泵系統:1套;
    12、冷卻水路系統:1套。

    公司:中國科學院沈陽科學儀器股份有限公司 

    地址:沈陽市渾南新區新源街1

    電話:024-23826899、024-23826855

    傳真:024-23826828

    郵箱:sales@sky.ac.cn

    網址:www.benoithamon.com

    開戶行:建行沈陽渾南新區產業園分理處

    賬號:2100 1394 6010 5958 1266

    納稅號:912101 0041 0581 2660

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