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首頁 ? 產品中心 ? LED襯底及窗口片設備 ? 碳化硅晶體生長爐
設備用途
主要用于半導體和LED行業。采用中頻感應加熱方式，物理氣相傳輸法生長優質光學晶體。
設備組成
本系統采用單室立式雙層水冷不銹鋼結構。由爐膛、真空獲得及測量系統、籽晶桿拉送系統、坩堝桿拉送系統、感應加熱系統、電控系統等組成。
技術指標
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型號 |
TDL60P |
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爐內真空度 |
極限真空 |
6.6×10-5Pa |
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系統抽速 |
60分鐘內真空度<2×10-3Pa（短時間暴露大氣并充入干燥氮氣后開始抽氣） |
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系統漏率 |
停泵關機12小時后真空度≤10Pa |
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爐體 |
主爐膛 |
尺寸Φ600×800 mm |
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副爐膛 |
尺寸Ф300×400mm |
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轉速 |
0～30rpm |
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提拉速度連續可調范圍 |
0.06～6㎜/h |
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快提拉速度連續升降可調 |
≥50㎜/min |
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有效行程 |
390㎜ |
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坩堝傳動機構 |
轉速 |
0～30rpm |
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升速范圍 |
0.06～6㎜/h |
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快提拉速度連續升降可調 |
≥50㎜/min |
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有效行程 |
560㎜ |
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額定總功率 |
55KW |
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循環水用量 |
3m3/h |
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真空配置 |
分子泵、機械泵、插板閥 |
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占地面積 |
主機 |
1500×2500mm2 |
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電控柜 |
700×700mm2（一個） |
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| 上一篇：碳化硅單晶爐系統TDL85P |
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