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設備用途
廣泛用于半導體、LED生產線批量生產，可滿足鋁、鈦、鉻、鉬、釩、鎳、銀、銦等金屬，ITO等氧化物在基片上均勻沉積薄膜的各類工藝要求。
設備組成
系統主要由真空室、旋轉基片架、加熱系統、電子槍及電子槍電源、石英晶體振蕩膜厚監控儀、工作氣路、抽氣系統、控制系統、安裝機臺等部分組成。立方整體外觀，適用于超凈間間壁隔離安裝。
技術指標
1、極限真空度：≤6.7×10-5 Pa (經烘烤除氣后)；
2、系統真空檢漏漏率：≤6.7×10-8 Pa.l/S；
3、20分鐘可達到工作真空度6.7×10-4 Pa；
4、蒸發速率：0.1～15Å/sec；
5、膜厚均勻性：片內≤±1%，片間≤±1%；
6、電子槍及電源：10KW，坩堝6x40cc；
7、膜厚控制儀（單探頭）：1套；
8、拱形基片架：可同時放置20片4″基片；
9、樣品加熱溫度：室溫～300°C；
10、無油泵抽系統：1套；
11、自動控制系統：1套；
12、占地面積：1600×2700mm；開門后尺寸：3200×3700mm。
公司：中國科學院沈陽科學儀器股份有限公司
地址：沈陽市渾南新區新源街1號
銷售電話：024-23826899、024-23826855
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